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| 品牌 | ROOKO/瑞柯 | 价格区间 | 1万-3万 |
|---|---|---|---|
| 自动化度 | 全自动 | 产地类别 | 国产 |
| 应用领域 | 能源,电子,交通,航天,汽车 |
高温四探针测试仪
采用四探针双电组合测量方法测试方阻和电阻率系统与高温箱结合配置高温四探针测试探针治具与PC软件对数据的处理和测量控制，解决半导体材料的电导率对温度变化测量要求，软件实时绘制出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线图谱，及过程数据值的报表分析.
二.四探针测试仪适用行业：Applicable industry:
用于：企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜等新材料方块电阻、电阻率和电导率数据.
双电测四探针仪是运用直线四探针双位测量。设计参照单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。
FT-351高温四探针电阻率测试系统
FT-351 high temperature four probe resistivity test system
一.四探针测试仪概述：
采用四探针双电组合测量方法测试方阻和电阻率系统与高温箱结合配置高温四探针测试探针治具与PC软件对数据的处理和测量控制，解决半导体材料的电导率对温度变化测量要求，软件实时绘制出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线图谱，及过程数据值的报表分析.
二.四探针测试仪适用行业：
用于：企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜等新材料方块电阻、电阻率和电导率数据.
双电测四探针仪是运用直线四探针双位测量。设计参照单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。
三.四探针测试仪型号及参数
| 规格型号 | FT-351A | FT-351B | FT-351C |
| 1.方块电阻范围 | 10-5～2×105Ω/□ | 10-6～2×105Ω/□ | 10-4～1×107Ω/□ |
| 2.电阻率范围 | 10-6～2×106Ω-cm | 10-7～2×106Ω-cm | 10-5～2×108Ω-cm |
| 3.测试电流范围 | 0.1μA.μA.0μA，100µA，1mA，10mA，100 mA | 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA | 10mA ---200pA |
| 4.电流精度 | ±0.1%读数 | ±0.1读数 | ±2% |
| 5.电阻精度 | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤10% |
| PC软件界面 | 显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率 | ||
| 7.测试方式 | 双电测量 | ||
| 8.四探针仪工作电源 | AC 220V±10%.50Hz <30W | ||
| 9.误差 | ≤3%（标准样片结果 | ≤15% | |
| 温度(选购)
| 常温 -400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃ | ||
| 气氛保护（气体客户自备）) | 常用气体如下：氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均为无色、无臭、气态的单原子分子 | ||
| 温度精度 | 冲温值：≤1-3℃；控温精度：±1°C | ||
| 升温速度： e | 常温开始400℃--800℃需要15分钟；800℃-1200℃需要30分钟；1400℃-1600℃需要250分钟—300分钟 | ||
| 高温材料 | 采用复合陶瓷纤维材料，具有真空成型，高温不掉粉的特征 | ||
| PC软件 | 测试PC软件一套，USB通讯接口，软件界面同步显示、分析、保存和打印数据！ | ||
| 电极材料 | 钨电极或钼电极 | ||
| 探针间距 | 直线型探针，探针中心间距：4mm；样品要求大于13mm直径 | ||
| 标配外（选购）： | 电脑和打印机1套；2.标准电阻1-5个； | ||
| 高温电源： | 供电：400-1200℃ 电源220V，功率4KW；380V;1400℃-1600℃电源380V；功率9KW： | ||
